正电压变成负电压芯片（正负电压转换芯片）
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桥式电路咋输出反向电压
桥式电路输出反向电压的方法。电源用的VDD，正负极调换过来使用即可。用7905等芯片实现正电压转换成负电压为其他设备提供5V电源。对于控制所用的信号可以通过控制由三极管组成的电路。
将四个整流二极管反接就可以实现与原输出方向相反的直流电压。
综上所述，桥式整流电路中每个二极管的最大反向电压计算方法是通过将交流输入电压的峰值乘以414得出。选择二极管时，应考虑耐压值至少为峰值的120%，以确保电路的安全运行。
桥式整流器二极管的反向峰值电压（PIV）是以下参数：正半周时电流从Vs1上端出发经D1供负载消耗后回流到Vs1下端（中心抽头），D1承受正向电压为Vs1（MAX）。直流输出电压约等于0.45倍Vs1（半波整流）。
首先，单相全桥电压型逆变电路的核心部分是四个开关管，这些开关管通常是晶体管或者场效应管。这四个开关管被组织成一个桥式结构，其中对角线上的两个开关管同时导通或关断，从而控制电流的流向。当需要输出正向电压时，桥的上半部分的两个开关管导通，下半部分的两个开关管关断。
1节9V电池输出+-5V如何设计电路,要详细的。
1、方案一：使用三端稳压器（如LM7805）或开关电源芯片（如LM2596）从9V电池输出得到5V的稳定正电压。 方案一继续：接着，可以使用开关电源芯片（如MC34063）将正电压转换为-5V，从而获得所需的正负5V电压。 方案一说明：此方案能够提供较大的负电压电流。
2、+9V用三端稳压管（如LM7805）或开关电源芯片（如LM2596）调节出+5V，再从+9V用开关电源芯片（如MC34063）转换出-5V。此方案负电压可设计得到较大电流。+9V用三端稳压管或开关电源芯片调节出+5V，再用电荷泵式电压反转芯片（如ICL7660）将+5V电压反转得到-5V。
3、——★请看，最简单的“9v的交流电压变为输出为5v的直流电”的电路。——★电路及其简单，最大输出1A的电流，特别适合初学者制作。
4、首先，使用LM2576-0降压型开关稳压器将9V直流电压降至5V。LM2576是一款内置了固定频率振荡器和基准稳压器的集成电路，具备完善的保护功能，如电流限制和热关断电路，能够在提供较大电流输出的同时，降低热损耗。 其次，为了获得3V的直流电压，可以采用L78L33线性稳压器。
5、这个非常简单，用线性稳压器7805和7905，按下面图示连接各元器件即可。而且对于线性稳压器7805和7905来说，+9V和-9V的电压是最合适的输入电压，既能保证其工作电压要求并稍有余量，又不至于因输入输出压差过大而导致发热。
如何使正电压变为负电压?
将正电压转成负电压是有条件的。首先是使用的供电电源必须是独立并且是浮地的（不能与大地连接）。一般使用一组电源供电的场合只要改变接地方式就可以，例如：供电电源输出为5V，将电源负极接地那么供电电压就是+5V。把正极作为地线（接地）那么供电电压就是-5V。
反相放大器可以实现电压取反。反相放大器电路如图所示 理想运算放大器具有虚短虚断性质，即图中运算放大器A的+、-端电压相等；流入A的+、-端电流为零。A的+端接地，电压为0，故-端电压为零。
还有一种方法是使用电压反转器（voltagereverser）。电压反转器是一种电子元件，它能够将输入电压的正负反转，即当输入为正电压时输出为负电压，当输入为负电压时输出为正电压。此外，还可以使用其他方法来产生负电压，例如使用电压互补器（voltagecomplementer）或使用反相电路（invertingcircuit）。
用双绕组变压器或有次级中心抽头的变压器分别整流出正负电源；单绕组变压器采用半波整流，二极管指出负载可以整出正电压，二极管指向电源，整流出负电压。79XX只是一个稳压器，不能产生电源，必须首先向它提供负电源才能工作，它只是负电压的“搬运工”。
将+5V的直流电压，转为-5V电压，只需要将电源参考点改为正5V即可。所谓+5V、-5V，只是取电源参考点不一样而已。比如一节电池，一般认定负极应该接地，这样电池正就是正电压了，如果将电池正去接地，这时这个电池就是负电压了。
mos管隔离驱动电路如何输入负电压
1、用Buck芯片产生出负压。用AOS通用的一款Non-synchronous Buck AOZ1284PI实现正输入负输出的电压变换，此芯片为高压BUCK芯片，最高输入电压达到36V，带载能力达到4A，用Buck芯片产生出负压。
2、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
3、、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。
4、对的。p沟道增强型mos管的开启电压为负值是对的，因为栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层所隔离，在栅极和源极之间加上电压vGS后，虽然会发生电子的迁移，导电沟道截面积的改变，但是不会有栅极电流流通，可以认为栅极电等于零。栅极和源极之间的输入电路没有电流，也就不存在所谓的输入电流的特性曲线。
5、PMOS导通。PMOS导通后，电流的方向是从S流向D，UDS也是一个负数。也就是S的实际电压要高于D。PS：你刚刚学习使用MOS管，怎么拿一个最复杂最难控制的MOS管来？呵呵，有你忙得了。一般情况下，如果可以不使用PMOS就不要使用，而改用增强型NMOS，PMOS选型余地比NMOS小，价格贵，也更难控制。
